|
|
|
|
|
|
|
|
|
■ 積層タイプ高出力半導体レーザ
|
| |
|
SemiConductor
Devices社製積層型半導体レーザは、高い信頼性を備えた高出力レーザで、DPSSレーザの励起光源をはじめ医療、宇宙分野で多く使われています。 |
|
|
■ 特徴
・堅固な構造
・高信頼性
・高効率
・用途に応じた多様なパッケージ
|
|
■ 用途
・DPSSレーザのポンピング
・レーザ医療
|
|
|
| |
|
|
|
■ 仕様 |
|
|
|
|
|
|
LAPID シリーズ（マイクロチャネル冷却、Bar積層タイプ）
|
 |
Bar数
|
本 |
3 to 30 |
|
出力/Bar
|
W |
40/80 |
|
駆動電流
|
A |
50/90 |
|
駆動電圧/Bar
|
V |
2 |
|
スロープ効率
|
W/A |
>1 |
|
変換効率
|
% |
>45 |
|
中心波長
|
nm |
808, 915, 940 |
|
スペクトル幅
|
nm |
<4 |
|
ビーム発散角FWHM+
|
° |
<35 |
|
ビーム発散角FWHM=
|
° |
<10 |
|
発光面積
|
mm*2 |
(n-1)x1.8x1.0 |
|
Bar間隔
|
mm |
1.8 |
|
動作モード
|
|
CW or switced CW |
|
動作温度
|
℃ |
25 |
|
冷却水流量/Bar
|
L/分 |
0.3 |
|
KARAT シリーズ（マイクロチャネル冷却、水平アレイタイプ）
|
 |
出力
|
W |
1000 |
|
駆動電圧/Bar
|
V |
≦24 |
|
駆動電流
|
A |
<90 |
|
変換効率
|
% |
≧45 |
|
波長
|
nm |
807±2 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
≦4 |
|
Bar数
|
本 |
12 |
|
偏光
|
|
TM |
|
発光アパーチャ
|
mm |
0.001x138 |
|
Barの位置ずれ
|
μｍ |
<50 |
|
動作モード
|
|
CW or switced CW |
|
動作温度
|
℃ |
25 |
|
冷却媒体
|
|
一般水 |
|
冷却水流量
|
L/分 |
2 |
|
Ruby シリーズ（高温動作タイプ）
|
 |
出力ピークパワー
|
W |
>600 |
>680 |
|
閾値電流
|
A |
<20 |
<20 |
|
駆動電流
|
A |
80 |
80 |
|
駆動電圧
|
V |
<15 |
<17 |
|
スロープ効率/Bar
|
W/A |
>1 |
>1 |
|
変換効率
|
% |
≧52 |
|
中心波長
|
nm |
808 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
4 |
|
ビーム発散角FWHM+
|
° |
≦40 |
|
ビーム発散角FWHM=
|
° |
≦10 |
|
発光面積
|
mm*2 |
10x2.8 |
|
サイズ WxLxH
|
mm |
14.4x10.6x11.6 |
|
Bar数
|
本 |
8 |
9 |
|
Bar間隔
|
mm |
0.4 |
0.35 |
|
ヒートシンク温度
|
℃ |
56 |
|
湿度
|
% |
60 at25℃ |
|
動作温度
|
℃ |
-24 to 56 |
|
保管温度
|
℃ |
-54 to 85 |
|
QCW-800-C（8集光レーザbar 積層、高温動作タイプ）
|
 |
出力
|
W |
≧800 |
|
閾値電流
|
A |
≦20 |
|
駆動電流
|
A |
≦105 |
|
駆動電圧
|
V |
≦16 |
|
スロープ効率/Bar
|
W/A |
≧1.1 |
|
変換効率
|
% |
≧40 |
|
中心波長
|
nm |
808±3 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
≦4 |
|
ビーム発散角FWHM+
|
° |
≦0.6 |
|
ビーム発散角FWHM=
|
° |
≦10 |
|
発光面積
|
mm*2 |
10.4x9.4 |
|
サイズ WxLxH
|
mm |
45x10.6x45.6
|
|
Bar間隔
|
mm |
1.2 |
|
Bar数
|
本 |
8 |
|
デューティーサイクル
|
% |
<4 |
|
ヒートシンク温度
|
℃ |
25 |
|
QCW-840（7bar 2列、高温動作タイプ）
|
 |
出力ピークパワー
|
W |
≧980 |
|
閾値電流
|
A |
<20 |
|
駆動電流
|
A |
≦80 |
|
駆動電圧
|
V |
≦28 |
|
スロープ効率/Bar
|
W/A |
≧1.1 |
|
変換効率
|
% |
≧45 |
|
中心波長
|
nm |
808±3 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
4 |
|
ビーム発散角FWHM+
|
° |
≦38 |
|
ビーム発散角FWHM=
|
° |
≦10 |
|
発光面積
|
mm*2 |
2.4x10x2 |
|
サイズ WxLxH
|
mm |
24x10.6x14.5 |
|
Bar間隔
|
mm |
0.4 |
|
Bar数
|
本 |
14 |
|
デューティーサイクル
|
% |
≦2 |
|
ヒートシンク温度
|
℃ |
55 |
|
QCW-1000-G（垂直0.4mmピッチ積層、高温動作タイプ）
|
 |
出力ピークパワー
|
W |
1000 |
|
変換効率
|
% |
>45 |
|
中心波長
|
nm |
808±2 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
4 |
|
ビーム発散角 fast軸
|
° |
≦40 |
|
ビーム発散角 slow軸
|
° |
≦10 |
|
駆動電流
|
A |
105 |
|
駆動電圧
|
V |
≦20 |
|
デューティーサイクル
|
% |
≦0.4 |
|
パルス幅
|
μs |
200 |
|
寿命
|
shots |
10*9 |
|
Bar数
|
本 |
10 |
|
発光面積
|
mm*2 |
10x36 |
|
動作温度
|
℃ |
55 |
|
保管温度
|
℃ |
-55 to +80 |
|
SAPIRシリーズ（Gタイプベース、垂直積層タイプ）
|
 |
Bar数
|
本 |
2-10 |
|
中心波長
|
nm |
808 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
≦4 |
|
ピークパワー/Bar
|
W |
70/100 |
|
駆動電流
|
A |
80/110 |
|
駆動電圧/Bar
|
V |
nx2 |
|
パルス幅
|
μs |
10-400 |
|
デューティーサイクル
|
% |
3 |
|
ビーム発散角 fast軸
|
° |
<40 |
|
ビーム発散角 slow軸
|
° |
<10 |
|
ビーム偏光
|
|
TM |
|
変換効率
|
% |
>50 |
|
ODEM（150Wピークパワー/Bar、集光、強制冷却タイプ）
|
 |
中心波長
|
nm |
940 |
|
スペクトル幅(FWHM)
|
nm |
≦5 |
|
ピークパワー/Bar
|
W |
1500 |
|
駆動電流
|
A |
<170 |
|
駆動電圧/Bar
|
V |
18 |
|
パルス幅
|
ms |
<1 |
|
デューティーサイクル
|
% |
10 |
|
ビーム発散角 fast軸
|
° |
<0.7 |
|
ビーム発散角 slow軸
|
° |
<10 |
|
ビーム偏光
|
|
TM |
|
変換効率
|
% |
50 |
|
冷却水流量
|
L/分 |
2 |
|
OPAL2（超ロングパルスタイプ）
|
 |
出力ピークパワー
|
W |
>200 |
|
Bar数/アレイ
|
本 |
2 |
|
駆動電流
|
A |
120 |
|
駆動電圧/Bar
|
V |
<3.2 |
|
パルス幅
|
ms |
4 |
|
パルス繰り返し速度
|
Hz |
10 |
|
デューティーサイクル
|
% |
4 |
|
変換効率
|
% |
>55 |
|
中心波長
|
nm |
940 |
|
発光面積
|
mm*2 |
0.8x10 |
|
Bar間隔
|
mm |
0.8 |
|
ベース温度
|
℃ |
25 |
|
|
|
| HELIUM（ファイバ出力シングルエミッター） |
|
|
中心波長 |
915±5nm |
940±5nm |
975±5nm |
|
CW出力 |
8W |
8W |
9W |
|
スペクトル幅(FWHM) |
4±1nm |
4±1nm |
4±1nm |
|
変換効率 |
≧45% |
≧45% |
≧45% |
|
駆動電流 |
<11A |
<11A |
<12A |
|
フォワード電圧 |
1.7V |
1.7V |
1.65V |
|
特性温度 |
25℃ |
25℃ |
25℃ |
|
波長温度変化 |
<0.35nm/℃ |
<0.35nm/℃ |
<0.35nm/℃ |
|
ファイバ特性 |
|
|
コア径 |
105μｍ |
105μｍ |
105μｍ |
|
NA |
0.15 |
0.15 |
0.15 |
|
クラッド径 |
125μｍ |
125μｍ |
125μｍ |
| NEON（ファイバ出力マルチエミッター） |
|
|
中心波長 |
915±5nm |
940±5nm |
975±5nm |
|
CW出力 |
50W |
60W |
|
スペクトル幅(FWHM) |
4±1nm |
|
変換効率 |
≧45% |
|
駆動電流 |
11<A |
<12A |
|
フォワード電圧 |
10.5V |
|
特性温度 |
25℃ |
|
波長温度変化 |
<0.35nm/℃ |
|
ファイバ特性 |
|
|
コア径 |
105μｍ |
|
NA |
0.15 |
|
クラッド径 |
125μｍ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
