低ノイズチューナブル半導体レーザ-PPCL200は、通信用途で実績のある量産チューナブルレーザをセンシングや試験、計測など高SNR(Sigunal-to-Noise-Ratio)を必要とする用途向けに低ノイズ化したレーザです。C、L フルバンド可変の広いチューニング、最大18dBmの高出力、15kHzの狭線幅といった特徴に加えて、以下のような特徴的な動作が低ノイズで可能です。
→半導体レーザとは

ppcl-200-1・クリーンスイープ:最大300GHzの周波数を繰り返しスイープ
・クリーン変調:3GHzまで電圧/周波数変換(@75kHz)
・クリーンジャンプ:2秒以内であらゆる周波数にジャンプ
・クリーンスキャン:10秒以内でフルレンジをスキャン
・クリーン測定:周波数タイミング最適化集積DAQ (Data Acquisition)

■特徴

・C,又はL フルバンド可変の広いチューニング
・最大出力18dBm(60mW)の高出力
・15kHzの狭線幅
・先端的オペレーションモード

■用途

・センシングシステム
・試験、計測システム

ppcl-200-3

■ 仕様

 型番 PPCL200
 パラメータ 単位 Min. Typ. Max. 備考
 一般特性
 動作温度 0 50
 最大設定出力 dBm 7 18 設定条件に依存します
 出力精度 dB -1 +1
 出力分解能 dB 0.01
 短時間出力変動 dB -0.05 0.05
 周波数範囲  C-band THz 191.5 196.25 カスタマイズできます
 L-band THz 186.35 190.95
 周波数精度 GHz -1.5 1.5
 周波数分解能(設定ポイント) GHz 0.1
 微細チューニング範囲 GHz -30 30
 微細チューニング分解能 GHz 0.001
 サブモード 抑圧比(SMSR) dB 40 55
 光信号雑音比(OSNR) dB 40 60
 線幅 kHz 15 100
 FM雑音スペクトル
 AM雑音(RIN)    7 dBm dB/Hz -140
 13 dBm dB/Hz -145
 バックリフレクション dB -14
 偏光消光比 dB 18
 ウォームスタート時間 sec 30
 コールドスタート時間 sec 60
 供給電圧 +3.3V V 3.15 3.3 3.45
 供給電流 +3.3V mA 400 1200
 供給電圧 -5.2V V -5.45 -5.2 -4.95
 供給電流 -5.2V mA 1500
 ファイバタイプ PANDA 偏光保持ファイバ
 ファイバ長 cm 50
 クリーンスイープ特性
 モードホップフリー範囲 GHz 300 周囲温度に依存の
可能性があります
 出力安定性 dB -1 1
 Typ. サイクル時間 s/GHz 0.1
 スルー・レート(片側) GHz/s 20
 クリーンモジュレーション特性
 モードホップフリー範囲 GHz 3
 カットオフ周波数 kHz 75
 適用電圧 V/GHz 150
 クリーンジャンプ特性
 光モード補正時間 sec 1
   目標値への出力誤差 dB -3 -0.5 0.5
   目標値への周波数誤差 GHz -3 0 3
 仕様値への時間 sec 2
   目標値への出力誤差 dB -0.5 0 0.25
   目標値への周波数誤差 GHz -0.5 0 0.5
 クリーンスキャン特性
 Min.スキャン時間 GH/s 20
 平均からの出力誤差 dB -0.5 0 0.5
 リニアスキャンからの周波数誤差 GHz -5 5
 クリーンメジャメント特性
 測定DAQ #bits 12
 入力電圧 V 0 3
 サンプルレート Hz 1000
 #ポイント 10,000
 メーカ Pure Photonics

■ サイズ図面

ppcl-200-4