■製品名： 10GHz 1550nm 電界吸収変調DFBレーザ (BRLD-1550)

■特徴

・変調帯域幅：10 GHz以上
・量子井戸（MQW）DFBレーザダイオード
・動作波長：1530 ～ 1565 nm
・TEC, サーミスタ, モニタPD内蔵
・ハーメチックシールバタフライパッケージ

■用途

・10 Gbit/s デジタル光通信
・DWDM/CWDMトランスポンダ
・SONET/SDHラインおよびクライアント・トランスポンダ

パラメータ

記号

条件

Min.

Typ.

Max.

単位

保管温度

T_S

–

-40

–

85

°C

動作時ケース温度

T_op

–

-20

–

70

°C

最大出力パワー

P_F

CW

5

–

–

mW

順方向電流

I_F

CW

–

–

150

mA

LD逆方向電圧

V_LR

CW

–

–

2

V

変調器順方向電圧

V_m

CW

-5

–

1

V

モニタPD順方向電流

I_FPD

–

–

–

1

mA

モニタPD逆方向電圧

V_RPD

–

–

–

10

V

パラメータ

記号

条件

Min.

Typ.

Max.

単位

ONレベル変調器電圧

V_O

–

-0.7

–

0

V

しきい値電流

I_TH

CW, V_m=V₀

–

15

30

mA

動作電流

I_OP

–

40

–

100

mA

波長分散ペナルティ

d_P

*1

–

–

2.0

dB

順方向電圧

V_F

CW, I_f=I_op

–

1.4

2.0

V

変調電圧振幅

V_PP

–

–

2

2.6

V

ON-OFF消光比

R_EXT

*2

10

–

–

dB

出力波長

λ_P

*2

1530

–

1565

nm

サイドモード抑圧比

SMSR

CW

35

–

–

dB

立下り時間

t_R

20 to 80%^*2

–

20

25

ps

立上り時間

t_F

20 to 80%^*2

–

20

25

ps

モニタPD電流

I_m

CW,
I_F＝I_OP, V_m=V_o,
V_DR＝5V

40

–

1100

μA

モニタPD暗電流

I_D

V_DR＝5V

–

2

100

nA

モニタPDキャパシタンス

C_T

V_DR＝5V

–

2

15

pF

TEC電流

I_TEC

T_L = 25 °C,
T_C = 70 °C

–

–

1.0

A

TEC電圧

V_TEC

T_L = 25 °C,
T_C = 70 °C

–

–

2.4

V

TEC消費電力

P_C

CW,
I_F＝I_OP,
V_m＝V_O,
T_C(OP)＝
-20 ~ +70°C

–

–

2.4

W

サーミスタ抵抗

R_TH

T_C(OP) ＝+25°C

9.5

–

10.5

kΩ

サーミスタB定数

B

–

3270

3450

3630

K

トラッキングエラー

TE

CW,
I_F＝I_OP,
V_m＝V_O,
T_C(OP)＝
-20 ~ +70°C

-0.5

–

+0.5

dB

入力インピーダンス

Z_IN

–

–

50

–

Ω

高周波リターンロス

S₁₁

f＝5GHz 50Ωテストセット,
V_m＝V_O,
I_F＝I_OP

8

–

–

dB

f＝10GHz 50Ωテストセット,
V_m＝V_O,
I_F＝I_OP

5

–

–

dB

カットオフ周波数

S₂₁

-3dB帯域幅
50Ωテストセット,
V_m ＝ V_O –
0.5V_pp,
I_F＝I_OP

10

–

–

GHz

相対強度雑音

RIN

CW,
出力光パワー: 5mW

–

–

-120

dB/Hz

アイソレーション

I_S

T_C(OP)＝
-20 ~ +70°C

25

35

–

dB

パラメータ

説明

ファイバ種類

SMF or PMF

ジャケット

900μmφルースチューブ

ピッグテール長

1.0 ± 0.1 m

コネクタ種類

FC/APC

BRLD

-XXX

-XX

-XX

-XX

波長 (nm)

出力光パワー (mW)

ファイバ種類

コネクタ種類

1530: 1530 nm
1550: 1550 nm
その他

05: 5 mW
10: 10 mW

SM : SMF
PM : PMF

FA : FC/APC
SA : SC/APC
NO: なし